Транзисторы П213 и КТ815

Коэффициент передачи тока.
У транзистора П213 без буквы — от 20 до 50
У транзистора П213А — 20
У транзистора П213Б — 40

Граничная частота передачи тока — от 100 до 150 КГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер30 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный)5 А.

Обратный ток коллектора при напряжении эмиттер-коллектор 45в и температуре окружающей среды +25 по Цельсию: У транзисторов П213 0,15 мА.
У транзисторов П213А, П213Б — 1 мА.

Обратный ток коллектор-эмиттер при напряжении коллектор-эмиттер 30в и нулевом базовом токе у транзисторов П213 — 20 мА.
У транзисторов П213А, П213Б при напряжении коллектор-эмиттер 30в и сопротивлении база-эмитер 50 Ом- 10 мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 15в и температуре +25 по Цельсию, у транзисторов П213 — 0,3 мА.
У транзисторов П213А, П213Б при напряжении эмиттер-база 10в — 0,4 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 3А и базовом 0,37А
— не более 0,5 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 3А и базовом 0,37А
— не более 0,75 в.

Рассеиваемая мощность коллектора11,5 Вт(на радиаторе).

Распиновка

Цоколевка для всей серии КТ815 одинаковая. Транзистор широко распространен в пластиковом корпусе для дырочного монтажа — КТ-27 (зарубежный аналог ТО-126). Если смотреть на его цифро-буквенное обозначение, то первая ножка слева — этоэмиттер (Э), вторая – коллектор (К), третья –база (Б). Для крепления к теплоотводу имеется отверстие (3 мм). Масса таких изделий не превышает 1 грамма.

Данный транзистор также встречается для поверхностного монтажа КТ-89 (он же импортный DPAK). В данном решении он имеет следующую распиновку – Б.К.Э. (коллектор сверху). Сейчас это редкость, выпускается исключительно в Белоруссии на предприятиях ОАО «ИНТЕГРАЛ».

Вывод коллектора у данных электронных компонентов, в обоих типах корпусов (КТ-27 и КТ-89), имеет сзади небольшое металлическое основание для соединения с радиатором. Его можно увидеть, если посмотреть на изделие с обратной стороны.

Кт815 характеристики

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств «интернета вещей» и «носимых гаджетов»

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький «Кикстартер»

Амбициозная цель компании MediaTek — сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик — порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг «ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!» (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений. который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Популярные материалы

Комментарии

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Светодиод — это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не «ИК светодиод» и «Светодиод инфракрасный», как указано на сайте.

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Корпус:

Uкбо — Максимально допустимое напряжение коллектор-база
Uкбои — Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
Uкэо — Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои — Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
Iкmax — Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iкmax и — Максимально допустимый импульсный ток коллектора
Pкmax — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
Pкmax т — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
h21э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Iкбо — Обратный ток коллектора
fгр — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Uкэн — напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Хорошие транзюки.В блоки питания сую их,пробовал грузить их до 2ампер,держат но не все.Некоторые сгорают.Но на 1.8ампера при радиаторе 350кв.см простоял под нагрузкой 4.5часа,температура 78с°…не сгорел,все о.к.Так что транзюки эти хорошие.

Цветомузыкальная приставка на П213.

Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц, на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.

Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7.
Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.

Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока. Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада – индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного сигнала. При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры. Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы – площадью от 75 кв.см.

В последнее время минский «Интеграл» начал выпуск этих транзисторов в корпусе для поверхностного монтажа КТ-89 (он же TO-252/DPAK). Но встретить такое пока можно не часто.

Внутреннее содержание пока неожиданностей не преподнесло. КТ814:


(фото с форума Радиокартинки)


(фото с форума Радиокартинки)

1. Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. 9-е изд., перераб. К.: Технiка, 1980.
2. Терещук Р. М. и др. Полупроводниковые приемно-усилительные устройства: Справочник радиолюбителя.- Киев: «Наукова думка», 1981.
3. Транзисторы для аппаратуры широкого применения: Справочник / К. М. Брежнева, Е. И. Гантман, Т. И. Давыдова и др. Под ред. Б. Л. Перельмана. — М.: Радио и связь, 1981
4. Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник/В. А. Аронов, А. В. Баюков, А. А. Зайцев и др. Под общ. ред. Н. Н. Горюнова,— М.: Энергоиздат, 1982.
5. Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. 10-е изд., перераб. и доп.- К.: Технiка, 1984.
6. Мощные полупроводниковые приборы. Транзисторы: Справочник / Б. А. Бородин, В. М. Ломакин, В. В. Мокряков и др.; Под ред. А. В. Голомедова. — М.: Радио и связь, 1985.
7. Нефедов Л. В., Гордеева В. И. Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги: Справочник. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Радио и связь, 1985.
8. Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник/Под общей редакцией Н. Н. Горюнова. Издание второе, переработанное, — М.: Энергоатомиздат, 1985.
9. Терещук Р. М. и др. Полупроводниковые приемно-усилительные устройства: Справ. радиолюбителя / В. М. Терещук, К. М. Терещук, С. А. Седов.— 3-е изд., перераб. и доп.- Киев: «Наукова думка», 1987.
10. Транзисторы: Справочник/ О. П. Григорьев, В. Я. Замятин, Б. В. Кондратьев, С. Л. Пожидаев — М.: Радио и связь, 1989.— (Массовая радиобиблиотека; Вып. 1144)
11. Нефедов А. В., Гордеева В. И. Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги: Справочник. — 3-е изд., перераб. и доп.— М.: Радио и связь, 1990. (Массовая радиобиблиотека; Вып. 1154).
12. Полупроводниковые приборы. Справочник. Том XVIII. Транзисторы. Издание второе. — Министерство электронной промышленности СССР.
13. Аксенов А. И. и др. Элементы схем бытовой радиоаппаратуры. Диоды. Транзисторы: Справочник / А. И. Аксенов, А. В. Нефедов, А. М. Юшин.— М.: Радио и связь, 1992. (Массовая радиобиблиотека; Вып. 1190).

Читайте также  Модуль упругости алюминия

Высоковольтные -p- составные биполярные мощные транзисторы КТ834А, КТ848А, КТ890А и КТ890А1

Общие сведения

Транзисторы составные биполярные переключательные КТ834А, КТ848А, КТ890А и КТ890А1 предназначены для использования в качестве выходных ключей электронных коммутаторов систем зажигания автомобилей, а также в схемах управления электроприводом.

Структура условного обозначения

КТ8ХА(1):
КТ — транзистор кремниевый биполярный;
8 — обозначение назначения транзистора (большой мощности
с граничной частотой от 3 до 30 МГц);
Х — порядковый номер разработки (34; 48; 90);
А — классификационная группа по параметрам;
1 — конструктивное исполнение (тип корпуса КТ-43А-2).

Условия эксплуатации

Условия эксплуатации транзистора КТ834А в соответствии с требованиями аАО.336.471 ТУ-95, транзистора КТ848А — аАО.336.539 ТУ-95, транзисторов КТ890А и КТ890А1 — АДБК.432.148. 010 ТУ-94. Температура окружающей среды от минус 60 до 100°С (КТ834А) и до 125°С (КТ848А, КТ890А и КТ890А1). Температура корпуса транзисторов от минус 45 до 100°С (КТ834А) и до 125°С (КТ848А, КТ890А и КТ890А1). аАО.336.471 ТУ-95;аАО.336.539 ТУ-95;АДБК.432.148.010 ТУ-94

Технические характеристики

Предельно допустимые значения параметров приведены в табл. 1, статические и динамическое характеристики в табл. 2.

Граничное напряжение, В

I K =0,1 А
L K =40 мГн

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер, В

I КЭR =3 мА
R БЭ :
100 Ом – КТ834А;
1000 Ом – КТ848А

Максимально допустимое напряжение эмиттер-база, В

I ЭБО =0,05 А
I К =0

Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А

Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А

Максимально допустимый постоянный ток базы, А

Максимально допустимый импульсный ток базы, А

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт

Максимально допустимая импульсная энергия, мДж

I K =10 А
L K =5 мГн

Максимально допустимая энергия вторичного пробоя, мДж

I K =8 А
L K =10 мГн

Максимально допустимая температура перехода, ° С

* Температура корпуса 25 ° С

Наименование параметра Буквенное обозначение Значение параметра для транзисторов типов Режим измерения *
КТ834А КТ848А КТ890А КТ890А1
U КЭО гр 400 350 U КЭR mах 500 520 U ЭБО mах 5 I K mах 15 20 _
I K, имп mах 20 15 20
I Б mах 3,5 1
I Б, имп mах 5
p K mах 100 87 100 60 E ИМП mах 250 E ВП mах 320 T П mах 150

Обратный ток коллектор-эмиттер, мА, при:
заданном сопротивлении в цепи базы-эмиттер:
типовой
максимальный

U КЭR :
500 В – КТ834А;
520 В – КТ848А
R БЭ :
100 Ом – КТ834А;
1 кОм – КТ848А

разомкнутом выводе базы:
максимальный

U КЭО =350 В
I Б =0

Максимальный обратный ток эмиттер-база, мА

U ЭБО :
5 В – КТ834А, КТ848
А, КТ890А;
6 В – КТ890А1
I К =0

Минимальный статический коэффициент
передачи тока

I K :
5 А – КТ834А, КТ890А
и КТ890А1;
15 А – КТ848А
U КЭ :
5 В – КТ834А
и КТ848А;
10 В – КТ890А
и КТ890А1

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В:
типовое

I K :
15 А – КТ834А;
10 А – КТ848А;
7 А – КТ890А
и КТ890А1
I Б :
1,5 А – КТ834А;
0,15 А – КТ848 А;
0,07 А – КТ890А
и КТ890А1

Напряжение насыщения база-эмиттер, В:
типовое

Время спада коллекторного тока, мкс:
типовое

I K :
10 А – КТ834А;
7 А – КТ848А,
КТ890А и КТ890А1
I Б :
±1 А – КТ834А;
±0,07 А – КТ848А,
КТ890А и КТ890А1

Прямое напряжение на диоде, В:
минимальное
типовое
максимальное

Максимальное тепловое сопротивление
переход-корпус, ° С/Вт

U КЭ =20 В
I K :
5 А – КТ834А;
4,35 А – КТ848А;
5 А – КТ890А;
3 А – КТ890А1

* Температура корпуса 25 ° С

Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзисторов КТ834А и КТ848А в корпусе КТ-9: 1 — база;
2 — коллектор;
3 — эмиттер

Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзистора КТ890А в корпусе КТ-43-2: 1-3 — по рис. 1

Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзистора КТ890А1 в корпусе КТ-43А — 2: 1-3 — по рис. 1

Электрическая схема транзисторов: а — КТ834А: VT1, VT2 — транзисторы;
VD1 — ускоряющий диод;
VD2 — демпферный диод;
R1 — согласующий резистор 300 Ом;
R2 — согласующий резистор 40 Ом;
1-3 — по рис. 1;
б — КТ848А: VD1 — демпферный диод;
R1 — согласующий резистор 400 Ом;
R2 — согласующий резистор 50 Ом;
VT1, VT2 — по рис. 4, а;
1-3 — по рис. 1;
в — КТ890А; КТ890А1: VD1 — стабилитрон;
R1 — согласующий резистор 400 Ом;
R2 — согласующий резистор 50 Ом;
VT1, VT2, VD2 — по рис. 4, а;
1-3 — по рис. 1 Масса транзисторов КТ834А и КТ848А не более 20 г, транзисторов КТ890А и КТ890А1 — не более 5 г. Показатели надежности: минимальное время наработки 15 000 ч;
интенсивность отказов в течение времени наработки не более 10 — 6 1/ч;
минимальный 99,5% срок сохраняемости транзистора 10 лет.

В комплект поставки входят: транзисторы; этикетка (паспорт) с краткими техническими данными транзисторов; потребительская тара. Типовое количество транзисторов в единице тары 100 шт.


Нажмите на изображение чтобы увеличить

Наименование параметра Буквенное обозначение Значение параметра для транзисторов типов Режим измерения *
КТ834А КТ848А КТ890А КТ890А1
I КЭR
I КЭО


50
I ЭБО 50 h 21Э
150

20

300
U КЭ нас U БЭ нас U FD
–1,4
2
2,5
R ТП-К
1,25

1,43

1,25

2,08
Диод Uпр/Iпр Ioбр t вос обр Uобр max Uобр имп max Iпр max Iпр имп max fд max Т
В/А мА мкс В В А А пФ кГц °C
Д242 1,25/10 3 100 10 1,1 -60. +130
Д242А 1,0/10 3 100 10 1,1 -60. +130
Д242Б 1,5/5 3 100 5 1,1 -60. +130

Транзистор КТ815Г

КТ815Г (BD139), Транзистор NPN, низкочастотный, большой мощности, TO-126 (КТ-27)

Описание
Структура NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А) 1.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 30
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц 3.00
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт) 10
Корпус KT-27
Производитель Россия

Американские производители полупроводниковых приборов используют символьную кодировку, состоящую из четырех элементов. Первая цифра означает число п-н переходов: 1 – диод; 2 – транзистор;3 – тиристор; 4 – оптопара. Вторая буква обозначает группу. Третий знак — это серийный номер элемента (диапазон от 100 до 9999). Четвертый символ — буква, соответствующая модификации прибора.

Данная система состоит из символов и содержит в себе пять элементов. Первая цифра соответствует типу полупроводникового прибора: 0 – фотодиод или фототранзистор; 1 – диод; 2 – транзистор. Второй элемент – буква S, она ставится на всех элементах. Следующая буква соответствует типу транзистора: А – высокочастотный PNP; В – низкочастотный PNP; С — высокочастотный NPN; D — низкочастотный NPN; Н – однопереходной; J — полевой с N-каналом; К — полевой с P-каналом. Далее следует серийный номер продукта (10 – 9999). Последний, пятый, элемент — это модификация прибора (зачастую он может отсутствовать). Иногда наносится и шестой символ – это дополнительный индекс (литеры N, M или S), означающий требование соответствия специальным стандартам. В японской системе цветовая маркировка транзисторов не применяется.